මිශ්ර ලෝහ ඉලක්ක සඳහා පූර්වාරක්ෂාව

1, Sputtering සකස් කිරීම

රික්තක කුටිය, විශේෂයෙන් ඉසින පද්ධතිය පිරිසිදුව තබා ගැනීම ඉතා වැදගත් වේ.ලිහිසි තෙල්, දූවිලි සහ පෙර ආලේපනය මගින් සාදන ලද ඕනෑම අපද්‍රව්‍ය ජල වාෂ්ප සහ අනෙකුත් දූෂක එකතු කරනු ඇත, එය රික්ත මට්ටමට සෘජුවම බලපාන අතර චිත්‍රපට සෑදීමේ අසාර්ථක වීමේ හැකියාව වැඩි කරයි.කෙටි පරිපථය හෝ ඉලක්ක චාප කිරීම, රළු පටල මතුපිට සහ අධික රසායනික අපිරිසිදු අන්තර්ගතය බොහෝ විට අපිරිසිදු ස්පුටරින් කුටිය, තුවක්කුව සහ ඉලක්කය නිසා ඇතිවේ.ආලේපනයේ සංයුතියේ ලක්ෂණ වලට අනුගත වීම සඳහා, ස්පුටර් වායුව (ආගන් හෝ ඔක්සිජන්) පිරිසිදු කර වියළීම අවශ්ය වේ.උපස්ථරය ඉසින කුටියේ ස්ථාපනය කිරීමෙන් පසුව, ක්රියාවලිය මගින් අවශ්ය වන රික්තය වෙත ළඟා වීමට වාතය නිස්සාරණය කිරීම අවශ්ය වේ.අඳුරු ප්‍රදේශයේ ආවරණ ආවරණය, කුහරයේ බිත්තිය සහ යාබද මතුපිට ද පිරිසිදුව තබා ගත යුතුය.රික්තක කුටිය පිරිසිදු කිරීමේදී, දූවිලි සහිත කොටස් වලට ප්‍රතිකාර කිරීම සඳහා වීදුරු බෝල වෙඩි පිපිරවීම, සම්පීඩිත වාතය සමඟ කුටීරය වටා ඇති මුල් අපද්‍රව්‍ය ඉවත් කිරීම සඳහා අපි යෝජනා කරමු, ඉන්පසු ඇලුමිනා කාවද්දන ලද වැලි කඩදාසිවලින් බාහිර මතුපිට නිශ්ශබ්දව ඔප දැමීම.ගෝස් කඩදාසි ඔප දැමීමෙන් පසු එය ඇල්කොහොල්, ඇසිටෝන් සහ ඩියෝනීකරණය කළ ජලය සමග පිරිසිදු කර ඇත.එක්ව, සහායක පිරිසිදු කිරීම සඳහා කාර්මික වැකුම් ක්ලීනර් භාවිතා කිරීම සඳහා එය යෝජනා කරයි.Gaozhan ලෝහයෙන් නිපදවන ඉලක්ක රික්ත මුද්‍රා තැබූ ප්ලාස්ටික් බෑග්වල අසුරා ඇත.

තෙතමනය-ප්‍රතිරෝධක කාරකයක් තුළ ඉදිකර ඇත.ඉලක්කය භාවිතා කරන විට, කරුණාකර ඔබේ අතින් ඉලක්කය කෙලින්ම ස්පර්ශ නොකරන්න.සටහන: ඉලක්කය භාවිතා කරන විට, කරුණාකර පිරිසිදු සහ ලින්ට් රහිත නඩත්තු අත්වැසුම් පළඳින්න.කිසිම අවස්ථාවක ඔබේ දෑතින් ඉලක්කය කෙලින්ම ස්පර්ශ නොකරන්න

2, ඉලක්ක පිරිසිදු කිරීම

ඉලක්ක පිරිසිදු කිරීමේ අරමුණ වන්නේ ඉලක්කයේ මතුපිට ඇති දූවිලි හෝ අපිරිසිදුකම ඉවත් කිරීමයි.

ලෝහ ඉලක්කය පියවර හතරකින් පිරිසිදු කළ හැකිය,

පළමු පියවර වන්නේ ඇසිටෝන් පොඟවා ඇති ලින්ට් රහිත මෘදු රෙද්දකින් පිරිසිදු කිරීමයි;

දෙවන පියවර පළමු පියවරට සමාන වේ, මත්පැන් සමග පිරිසිදු කිරීම;

පියවර 3: ඩයෝනීකරණය කළ ජලය සමග පිරිසිදු කරන්න.ඩියෝනීකරණය කළ ජලයෙන් සේදීමෙන් පසු, ඉලක්කය උඳුන තුල තබා විනාඩි 30 ක් 100 ℃ වියළා ගන්න.

ඔක්සයිඩ් සහ සෙරමික් ඉලක්ක පිරිසිදු කිරීම "ලින්ට් රහිත රෙදි" සමඟ සිදු කළ යුතුය.

සිව්වන පියවර වන්නේ දූවිලි සහිත ප්‍රදේශය ඉවත් කිරීමෙන් පසු ඉහළ පීඩනයකින් සහ අඩු ජල වායුවකින් ආගන් සමඟ ඉලක්කය සේදීම, එමඟින් ඉසින පද්ධතියේ චාප සෑදිය හැකි සියලුම අපිරිසිදු අංශු ඉවත් කිරීමයි.

3, ඉලක්ක උපාංගය

ඉලක්ක ස්ථාපනය කිරීමේ ක්‍රියාවලියේදී, ඉසඩ් වැදගත් පූර්වාරක්ෂාවන් වනුයේ ඉලක්කය සහ ඉසින තුවක්කුවේ සිසිලන බිත්තිය අතර හොඳ තාප සන්නායක සම්බන්ධතාවයක් සහතික කිරීමයි.සිසිලන තලයෙහි යුධ පිටුව දරුණු නම් හෝ පිටුපස තහඩුවේ යුධ පිටුව දරුණු නම්, ඉලක්ක උපාංගය ඉරිතලා හෝ නැමෙනු ඇත, සහ පසුපස ඉලක්කයේ සිට ඉලක්කයට තාප සන්නායකතාවයට විශාල බලපෑමක් ඇති වන අතර එමඟින් තාපය විසුරුවා හැරීම අසාර්ථක වේ. ඉසිලීමේ ක්‍රියාවලියේදී, ඉලක්කය ඉරිතලා හෝ මග හැරෙනු ඇත

තාප සන්නායකතාවය සහතික කිරීම සඳහා, කැතෝඩ සිසිලන බිත්තිය සහ ඉලක්කය අතර මිනිරන් කඩදාසි තට්ටුවක් පිරවිය හැකිය.O-ring එක සෑම විටම තිබෙන බව සහතික කිරීම සඳහා භාවිතා කරන ඉසින තුවක්කුවේ සිසිලන බිත්තියේ සමතලා බව හොඳින් පරීක්ෂා කර පැහැදිලි කිරීමට කරුණාකර අවධානය යොමු කරන්න.

භාවිතා කරන සිසිලන ජලයේ පිරිසිදුකම සහ උපකරණ ක්‍රියාත්මක කිරීමේදී ඇති විය හැකි දූවිලි කැතෝඩ සිසිලන ජල ටැංකියේ තැන්පත් වන බැවින් ඉලක්කය සවි කිරීමේදී කැතෝඩ සිසිලන ජල ටැංකිය පරීක්ෂා කර පිරිසිදු කිරීම අවශ්‍ය වේ. සිසිලන ජලය සංසරණය වීම සහ ඇතුල්වීම සහ පිටවීම අවහිර නොවනු ඇත.

සමහර කැතෝඩ ඇනෝඩය සමඟ කුඩා ඉඩක් ලබා ගැනීමට සැලසුම් කර ඇත, එබැවින් ඉලක්කය ස්ථාපනය කරන විට, කැතෝඩය සහ ඇනෝඩය අතර ස්පර්ශයක් හෝ සන්නායකයක් නොමැති බව සහතික කිරීම අවශ්ය වේ, එසේ නොමැතිනම් කෙටි පරිපථයක් සිදුවනු ඇත.

ඉලක්කය නිවැරදිව ක්‍රියාත්මක කරන්නේ කෙසේද යන්න පිළිබඳ තොරතුරු සඳහා උපකරණ ක්‍රියාකරුගේ අත්පොත බලන්න.පරිශීලක අත්පොතෙහි එවැනි තොරතුරු නොමැති නම්, Gaozhan ලෝහ විසින් සපයන ලද අදාළ යෝජනා අනුව උපාංගය ස්ථාපනය කිරීමට උත්සාහ කරන්න.ඉලක්ක සවිකිරීම තද කරන විට, පළමුව එක් බෝල්ට් එකක් අතින් තද කරන්න, ඉන්පසු අතින් විකර්ණය මත තවත් බෝල්ට් එකක් තද කරන්න.උපාංගයේ ඇති සියලුම බෝල්ට් තද කරන තෙක් මෙය නැවත කරන්න, ඉන්පසු යමක් තද කරන්න.

4, කෙටි පරිපථය සහ තද බව පරීක්ෂා කිරීම

ඉලක්ක උපාංගය සම්පූර්ණ කිරීමෙන් පසු, සම්පූර්ණ කැතෝඩයේ කෙටි පරිපථය සහ තද බව පරීක්ෂා කිරීම අවශ්‍ය වේ,

ප්රතිරෝධක මීටරයක් ​​භාවිතා කිරීමෙන් කැතෝඩයේ කෙටි පරිපථයක් තිබේද යන්න තීරණය කිරීමට යෝජිතය

පේළි වෙනස්කම් කිරීම.කැතෝඩයේ කෙටි පරිපථයක් නොමැති බව තහවුරු කර ගැනීමෙන් පසු කාන්දුව හඳුනාගැනීම සිදු කළ හැකි අතර, ජල කාන්දුවක් තිබේද යන්න තහවුරු කිරීම සඳහා කැතෝඩයට ජලය හඳුන්වා දිය හැකිය.

5, ඉලක්‌ක පෙර ස්පුටර් කිරීම

Target pre sputtering විසින් ඉලක්කයේ මතුපිට පිරිසිදු කළ හැකි පිරිසිදු ආගන් ඉසීම වෙනුවෙන් පෙනී සිටියි.ඉලක්කය පෙර ඉසින විට, එය ඉසින බලය සෙමින් වැඩි කිරීමට අනුබල දෙන අතර සෙරමික් ඉලක්කයේ බල වැඩිවීමේ වේගය 1.5WH / cm2 වේ.ලෝහ ඉලක්‌කයේ පෙර ඉසින වේගය සෙරමික් ඉලක්ක බ්ලොක් එකට වඩා වැඩි විය හැකි අතර සාධාරණ බල වැඩිවීමේ වේගය 1.5WH / cm2 වේ.

පෙර ස්පුටර් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේදී, අපි ඉලක්කයේ චාප කිරීම පරීක්ෂා කළ යුතුය.පෙර ඉසින කාලය සාමාන්යයෙන් විනාඩි 10 ක් පමණ වේ.චාප සංසිද්ධියක් නොමැති නම්, අඛණ්ඩව ඉසින බලය වැඩි කරන්න

සැකසූ බලයට.අත්දැකීමට අනුව, ලෝහ ඉලක්කයේ පිළිගත හැකි Z ඉහළ ඉසින බලය වේ

සෙරමික් ඉලක්කය සඳහා 25watts / cm2, 10watts / cm2.කරුණාකර පරිශිලකයාගේ පද්ධති මෙහෙයුම් අත්පොතෙහි ඇති රික්තක කුටීර පීඩනය ඉසීමේදී ඇති වන සැකසුම් පදනම සහ අත්දැකීම් වෙත යොමු වන්න.සාමාන්‍යයෙන්, සිසිලන ජලය පිටවන ස්ථානයේ ජල උෂ්ණත්වය ℃ 35 ට වඩා අඩු විය යුතු බව සහතික කළ යුතුය, නමුත් Z සිසිලන ජලයේ සංසරණ පද්ධතිය ඵලදායී ලෙස ක්‍රියා කළ හැකි බව සහතික කිරීම වැදගත් වේ.

සුපිරි සිසිලන ජලයේ වේගවත් සංසරණය තාපය ඉවත් කරයි, එය ඉහළ බලයක් සමඟ අඛණ්ඩව ඉසීම සහතික කිරීම සඳහා වැදගත් සහතිකයකි.ලෝහ ඉලක්ක සඳහා, සිසිලන ජල ප්රවාහය සාමාන්යයෙන් නිර්දේශ කරනු ලැබේ

20lpm ජල පීඩනය 5gmp පමණ වේ;සෙරමික් ඉලක්ක සඳහා, ජල ප්‍රවාහය 30lpm වන අතර ජල පීඩනය 9gmp පමණ වන බව සාමාන්‍යයෙන් නිර්දේශ කෙරේ.

6, ඉලක්ක නඩත්තු කිරීම

අපිරිසිදු කුහරය නිසා ඇතිවන කෙටි පරිපථ සහ චාප වැලැක්වීම සඳහා, ස්පුටරින් මාර්ගයේ මධ්යයේ සහ දෙපස එකතු වී ඇති ස්පූටර් අදියර වශයෙන් ඉවත් කිරීම අවශ්ය වේ.

මෙය පරිශීලකයින්ට z අධි බල ඝණත්වයේ දී අඛණ්ඩව ඉසීමට ද උපකාරී වේ

7, ඉලක්ක ගබඩා කිරීම

Gaozhan ලෝහ විසින් සපයන ලද ඉලක්ක ද්විත්ව ස්ථර රික්ත ප්ලාස්ටික් බෑග්වල ඇසුරුම් කර ඇත.අපි පරිශීලකයන් ඉලක්ක, ලෝහ හෝ සෙරමික්, රික්ත ඇසුරුම් තුළ තබා ගැනීමට යෝජනා කරමු.විශේෂයෙන්ම, බන්ධන ස්ථරයේ ඔක්සිකරණය බන්ධන ගුණාත්මක භාවයට බලපෑම් කිරීම වැළැක්වීම සඳහා බන්ධන ඉලක්ක රික්ත තත්වයන් යටතේ ගබඩා කිරීම අවශ්ය වේ.ලෝහ ඉලක්ක ඇසුරුම් කිරීම සම්බන්ධයෙන්, Z පිරිසිදු ප්ලාස්ටික් බෑග්වල ඇසුරුම් කළ යුතු බව අපි යෝජනා කරමු